长江存储在美国法院起诉美光侵犯多项专利 要求美光停止销售内存并支付专利费

半导体制造商长江存储 (Yangtze Memory Technologies Co., Ltd. , YMTC) 日前已经在美国加利福利亚州北区法院对美光科技提起专利诉讼，长江存储指控美光科技在未取得授权的情况下使用长江存储持有的 11 项专利技术，这些专利技术涉及 3D NAND 闪存芯片的各个方面。

基于美光科技侵犯专利以及销售侵犯知识产权的内存产品，长江存储要求法院下令美光科技在美国市场停止销售内存产品并向长江存储支付专利使用费。

在法庭文件中长江存储称美光科技的 96 层 (B27A)、128 层 (B37R)、176 层 (B47R) 和 232 层 (B58R) 系列 3D NAND 闪存芯片以及美光科技的部分 DDR5 SDRAM 内存 (Y2BM 系列) 侵犯了 11 项专利或正在申请中的专利。

长江存储在法庭文件中引用的 8 项专利包括：

• US10950623：3D NAND 存储器装置及其形成方法
• US11501822：非易失性存储装置及其控制方法 **(已提交申请但尚未获得批准)
• US10658378：用于三维存储设备的直通阵列接触 (TAC)
• US10937806：用于三维存储设备的直通阵列接触 (TAC)
• US10861872：三维存储器件及其形成方法
• US11468957：NAND 存储器操作架构和方法 **(已提交申请但尚未获得批准)
• US11600342：三维存储器件的读取时间 **(已提交申请但尚未获得批准)
• US10868031：多堆栈三维存储器件及其制作方法

美国商务部已经在 2022 年将长江存储添加到出口管制名单中，禁止美国科技公司或使用美国技术的外国公司向长江存储提供任何包含美国技术的软件、硬件或其他服务，这阻碍了长江存储发展存储芯片的进度。

不过最终长江存储还是突破了限制成功研发高阶 3D NAND 芯片，包括已经量产的晶栈 3.0 (Xtacking 3.0) 以及正在开发中的晶栈 4.0 (Xtacking 4.0) 3D NAND 闪存芯片。

此外长江存储此前还透露已经成功将 3D QLC NAND 芯片的耐用性大幅度提高到 3D TLC NAND 的水平，即达到 4000 次编程 / 擦除周期，这显著改善了 QLC 隔离的使用寿命、将有助于提高 QLC 固态硬盘的大规模投入市场。